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垂直氧化LPCVD炉系统用于IC集成电路、MEMS、功率器件、纳米器件、光电子器件等领域，6"、8"晶圆的氧化、合金、退火等工艺。
水平氧化扩散炉及LPCVD系统，应用于IC集成电路、MEMS、功率器件、电力电子器件、光电子器件、纳米器件、太阳能电池等领域。
垂直氧化LPCVD炉系统用于IC集成电路、MEMS、功率器件、纳米器件、光电子器件等领域，6"、8"晶圆的氧化、合金、退火等工艺。
垂直LPCVD系统用于IC集成电路、MEMS、功率器件、纳米器件、光电子器件等领域，12"晶圆的薄膜沉积及参杂等工艺。
用于IC集成电路、MEMS、功率器件、纳米技术、光电子器件等领域。
科研型小批量氧化扩散LPCVD炉用于IC集成电路、MEMS、功率器件、电力电子器件、纳米器件、光电子器件等领域，2"/4"/6"/8"/12"晶圆的扩散、氧化、合金、退火、薄膜沉积（LPCVD/PECVD）及参杂等工艺。
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