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产品性能:
◆特点:结构紧凑占地面积小,模块化组合灵活方便
◆工艺:氧化、扩散、退火、LPCVD、PECVD等
◆2~12寸晶圆工艺,5~25片/批
◆占地面积小,水平1~4管/台
◆200~1300℃,1400℃/2200℃(高温)
◆手动及自动进舟,局部净化
配套工艺:
◆扩散:气态/液态/固态源磷硼扩散
◆氧化:干氧/湿氧(DCE, HCL)(H20/氢氧合成)
◆氮/氢退火及快速退火,烧结、合金等
◆LPCVD:多晶硅,氮化硅、氧化硅(PSG\BPSG,TEOS,LTO\HTO)、SIPOS
◆PECVD:氮化硅、氧化硅等
◆特殊工艺:铝、镓扩散,LP POCl3扩散等。
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