4008-110044
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专业半导体装备制造
产品性能：
◆全自动：盒到盒（Cassette To Cassette）
◆模块化设计,SEMI标准
◆满足4～8/12英吋晶圆工艺
◆每台1～4/5管，石英/SiC反应管
◆恒温区：800/1000/1250mm
◆温度：200～1300℃/1350℃
◆全自动机械手装卸，悬臂/软着陆
◆高集成度，完整的工厂MES系统对接
配套工艺：
◆低压化学气相沉积设备LPCVD：
根据用户需求低压化学气相沉积设备是否使用完整功能
可进行工艺有多晶硅P-Si，氮化硅Si3N4，1100℃退火，氧化硅SiO2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG，TEOS，LTO，HTO，SIPOS...
沉积 Si3N4 膜厚均匀性: 片内（WIW）≤±5%、片间（WTW）≤±5%、批间（RTR）≤±2%
工艺可用基片材料
150mm Si Notch Wafer（厚675±25μm，重约27g）、
150mm GaAs Notch Wafer（厚675±25μm，重约64g）、
150mm GaN-on-SiC Notch Wafer（厚500±25μm，重约28g）、
100mm Si Flat Wafer（厚525±25μm，重约13g）、
100mm GaN-on-SiC Flat Wafer（厚500±25μm，重约17g）
设备具备完善的报警和安全互锁功能，包括但不限于真空、气体泄漏、运动部件、工艺异常、漏电等；
工艺异常会停止工艺，关闭射频电源及供气，以保证人员及设备安全；
◆扩散炉：气态/液态/固态源磷硼扩散
◆氧化炉：干氧/湿氧（DCE，HCL）
◆氮、氢退火，烧结、合金、固化等
◆镓、铝扩散，LP POCl3
◆PECVD工艺：氮化硅、氧化硅等。
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