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水平LPCVD是高质量大批量大尺寸石墨烯CVD法生长专用设备，多种工艺气体、生长压力、工艺温度、工艺过程计算机全自动控制。该设备亦可其他大衬底LPCVD法成膜沉积工艺。
1350/1500℃高温氧化炉系统应用于2”4”6”SiC或Si晶圆片的高温氧化等的特殊工艺。
用于2”4”6”SiC或GaN的高温退火、活化等的特殊工艺。
水平HVPE设备用于在蓝宝石、碳化硅等衬底上外延生长GaN薄膜、Ga2O3薄膜、厚膜及晶体生长，及AlN等外延生长。
垂直HVPE设备用于在蓝宝石、碳化硅等衬底上外延生长GaN薄膜、Ga2O3薄膜、厚膜及晶体生长，及AlN等外延生长。
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