4008-110044
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专业半导体装备制造
设备特点：
◆适应多种规格尺寸工艺片：小方片、不规则及2、4、6英吋晶圆
◆优化结构设计，占地面积小
◆灵活多样的工艺调整
◆操作使用维护极为方便
◆极高的精度指标及可靠性
工艺：
◆适应多种规格尺寸工艺片：小方片、不规则及2、4、6英吋晶圆
◆工艺温度可达2200℃（炉体可达更高的温度）
◆小批量R&D为5片/炉，生产型为50片/炉
◆常压/压力控制，极限＜10-3mbar，工艺压力：1～250mbar
◆温度均匀性≤±3℃（上中下红外控温），降温速度≥10℃/min；
◆温度重复性≤±1℃（温度范围为1650℃）；
◆控温精度≤±1℃；
◆过温精度≤3℃ (恢复时间5分钟)；
◆压力控制精度≤±1mbar；
◆晶圆内方阻均匀性≤2.0 % (1σ)；
◆晶圆间方阻均匀性≤2.0 % (1σ)；
◆不同批次方阻均匀性≤2.0 % (1σ)；
◆增加颗粒物≤30个（≥0.2um）；
◆金属沾污（增加值）：≤1.0E11 atoms/cm2（Na、Ca、Mg、Al、K、Cr、Fe、Ni、Mn、Cu）；
◆控制精度：配置质量流量控制器（MFC），MFC精度≤±1.0%S.P.(Flow rate>30%F.S.)， MFC精度≤±0.3%F.S.(Flow rate≦30%F.S.)；
◆加热器温区：需配置≥3个加热区，独立温度控制，具有自动校准恒温区功能；
◆工艺腔体漏率≤2.0mbar/min；
◆配备晶圆材质识别装置，loadport具备N2清洗功能、对氧含量进行检测；
◆真空吸附晶圆，装载和卸载过程中无任何晶圆掉落，有mapping传感器，可对各buffer、loadport和舟进行mapping；
◆全自动传片，支持AB-batch多批次工艺连续运行；
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