4008-110044
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专业半导体装备制造
产品性能：
◆工作温度：200～1200℃/2200℃
◆结构方式：水平/垂直，片数：1/3/6/多片（科研/生产型）
◆多温区，动态高精度生长条件控制
◆低压、常压、微正压工艺方式，衬底片升降、旋转（厚膜/晶体生长）
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