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全自动氧化扩散LPCVD炉

氧化炉,扩散炉,LPCVD

产品性能:

 ◆全自动:盒到盒(Cassette To Cassette)

 ◆模块化设计,SEMI标准

 ◆满足4~8/12英吋晶圆工艺

 ◆每台1~4/5管,石英/SiC反应管

 ◆恒温区:800/1000/1250mm

 ◆温度:200~1300℃/1350℃

 ◆全自动机械手装卸,悬臂/软着陆

 ◆高集成度,完整的工厂MES系统对接

 配套工艺:

 ◆扩散炉:气态/液态/固态源磷硼扩散 

 ◆氧化炉:干氧/湿氧(DCE,HCL)

 ◆氮、氢退火,烧结、合金、固化等

 ◆镓、铝扩散,LP POCl3

 ◆LPCVD工艺:多晶硅P-Si,氮化硅Si3N4,氧化硅SiO2,磷硅玻璃PSG,硼磷硅玻璃BPSG,TEOS,LTO,HTO,SIPOS...

 ◆PECVD工艺:氮化硅、氧化硅等。


氧化炉,扩散炉,LPCVD

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